מספר מוצר של יצרן:
NTB150N65S3HF
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NTB150N65S3HF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 192W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
12844095
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NTB150N65S3HF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
FRFET®, SuperFET® III
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
24A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
150mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 540µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
43 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1985 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
192W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
NTB150
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
NTB150N65S3HF-DG
488-NTB150N65S3HFCT
488-NTB150N65S3HFDKR
488-NTB150N65S3HFTR
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXFA22N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
250
DiGi מספר חלק
IXFA22N65X2-DG
מחיר ליחידה
2.56
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STB24N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STB24N60M2-DG
מחיר ליחידה
1.21
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NDS355AN_G
MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3
NVMJS2D5N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
NTMFS4707NT3G
MOSFET N-CH 30V 6.9A 5DFN
