מספר מוצר של יצרן:
NTB082N65S3F
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NTB082N65S3F-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
12856836
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NTB082N65S3F מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
SuperFET® III
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
40A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
82mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 4mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
81 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3410 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
313W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
NTB082
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
NTB082N65S3F-DG
2156-NTB082N65S3F-488
NTB082N65S3FOSTR
NTB082N65S3FOSDKR
NTB082N65S3FOSCT
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STB45N65M5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
301
DiGi מספר חלק
STB45N65M5-DG
מחיר ליחידה
4.20
סוג משאב
Similar
מספר חלק
NVB082N65S3F
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
NVB082N65S3F-DG
מחיר ליחידה
4.61
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTMFS4833NAT1G
MOSFET N-CH 30V 16A/191A 5DFN
NTMFS4C05NT3G
MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN
NTMFS4925NT3G
MOSFET N-CH 30V 9.7A/48A 5DFN
