מספר מוצר של יצרן:
NDS9952A-F011
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NDS9952A-F011-DG
תיאור:
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8SOIC
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 2.9A 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12958363
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NDS9952A-F011 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.9A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
80mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.8V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
27nC @ 10V, 5nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
320pF @ 10V
הספק - מקס'
900mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
מספר מוצר בסיסי
NDS995
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
488-NDS9952A-F011TR
2832-NDS9952A-F011TR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
MCQ6005-TP
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
MCQD05N06-TP
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
MSCSM120HM083CAG
SIC MOSFET
