מספר מוצר של יצרן:
NDS8852H
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NDS8852H-DG
תיאור:
MOSFET N/P-CH 30V 4.3A 8SOIC
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 4.3A, 3.4A 1W Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12859922
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NDS8852H מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.3A, 3.4A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
80mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.8V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
25nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
300pF @ 15V
הספק - מקס'
1W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
מספר מוצר בסיסי
NDS885
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
NDS8852HCT
NDS8852HTR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTTFS5C478NLTAG
MOSFET 40V U8FL
IRF7317TRPBF
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO
UPA1857GR-9JG-E1-A
MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8TSSOP
