NDS352AP

מספר מוצר של יצרן:

NDS352AP

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

NDS352AP-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3

תיאור מפורט:

P-Channel 30 V 900mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

מלאי:

6204 יחידות חדשות מק originales במלאי

12857896

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

NDS352AP מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

P-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

900mA (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

300mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

3 nC @ 4.5 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

135 pF @ 15 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

500mW (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

SOT-23-3

חבילה / מארז

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

מספר מוצר בסיסי

NDS352

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

NDS352AP-DG

NDS352APTR-NDR

NDS352APCT-NDR

NDS352APDKR

NDS352APTR

NDS352APCT

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

renesas-electronics-america

RJK2006DPE-00#J3

MOSFET N-CH 200V 40A 4LDPAK

onsemi

NVJS4151PT1G

MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88

onsemi

NTD20N06T4

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

onsemi

NTD5867NLT4G

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK