מספר מוצר של יצרן:
NDPL180N10BG
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NDPL180N10BG-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 180A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 180A (Ta) 2.1W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12844161
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NDPL180N10BG מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
180A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 15V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3mOhm @ 15V, 50A
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
95 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6950 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.1W (Ta), 200W (Tc)
טמפרטורת פעולה
175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
NDPL18
מידע נוסף
שמות אחרים
ONSONSNDPL180N10BG
2156-NDPL180N10BG
NDPL180N10BGOS
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TK100E08N1,S1X
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
57
DiGi מספר חלק
TK100E08N1,S1X-DG
מחיר ליחידה
1.64
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STP315N10F7
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
824
DiGi מספר חלק
STP315N10F7-DG
מחיר ליחידה
2.50
סוג משאב
Similar
מספר חלק
PSMN3R5-80PS,127
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
5952
DiGi מספר חלק
PSMN3R5-80PS,127-DG
מחיר ליחידה
2.00
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FDP036N10A
יצרן
onsemi
כמות זמינה
379
DiGi מספר חלק
FDP036N10A-DG
מחיר ליחידה
2.48
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AOT10T60L
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
BSC050N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
AOI472A
MOSFET N-CH 25V 18A/46A TO251A
