NDD02N40-1G

מספר מוצר של יצרן:

NDD02N40-1G

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

NDD02N40-1G-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 400V 1.7A IPAK

תיאור מפורט:

N-Channel 400 V 1.7A (Tc) 39W (Tc) Through Hole IPAK

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12858577

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

NDD02N40-1G מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

400 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

1.7A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

5.5Ohm @ 220mA, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

5.5 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

121 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

39W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

IPAK

חבילה / מארז

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

מספר מוצר בסיסי

NDD02

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

NDD02N40-1G-DG

NDD02N40-1GOS

חבילה סטנדרטית

75

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

3 (168 Hours)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

RFD16N05SM9A

MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA

onsemi

NTD4809N-1G

MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK

onsemi

NVMTS0D4N04CLTXG

MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW

renesas-electronics-america

2SK3484-AZ

MOSFET N-CH 100V 16A TO251