מספר מוצר של יצרן:
MTB30P06VT4G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
MTB30P06VT4G-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
תיאור מפורט:
P-Channel 60 V 30A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
מלאי:
12844580
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
MTB30P06VT4G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
80mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
80 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±15V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2190 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3W (Ta), 125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
D2PAK
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
MTB30
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
MTB30P06VT4GOS-DG
MTB30P06VT4GOSCT
MTB30P06VT4GOS
ONSONSMTB30P06VT4G
MTB30P06VT4GOSTR
MTB30P06VT4GOSDKR
2156-MTB30P06VT4G-ONTR
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
NTB25P06T4G
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
NTB25P06T4G-DG
מחיר ליחידה
0.92
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NVMYS4D1N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 22A/100A LFPAK4
NTMYS3D5N04CTWG
MOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4
NTMTS001N06CLTXG
MOSFET N-CH 60V 398.2A
