מספר מוצר של יצרן:
MMSF3P02HDR2SG
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
MMSF3P02HDR2SG-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 5.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12855521
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
MMSF3P02HDR2SG מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.6A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
75mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
46 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1400 pF @ 16 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
MMSF3P
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-MMSF3P02HDR2SG
ONSONSMMSF3P02HDR2SG
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
2SK3408-T1B-AT
MOSFET N-CH 43V 1A SC96-3
RJL6012DPE-00#J3
MOSFET N-CH 600V 10A 4LDPAK
NVMFS5C604NLWFAFT3G
MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
