מספר מוצר של יצרן:
ISL9N302AP3
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
ISL9N302AP3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 75A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 345W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12838264
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
ISL9N302AP3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
UltraFET™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
75A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
300 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
11000 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
345W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
ISL9
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
400
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
PSMN4R3-30PL,127
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
4699
DiGi מספר חלק
PSMN4R3-30PL,127-DG
מחיר ליחידה
0.72
סוג משאב
Similar
מספר חלק
PSMN2R0-30PL,127
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
9215
DiGi מספר חלק
PSMN2R0-30PL,127-DG
מחיר ליחידה
1.11
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRLB8314PBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
808
DiGi מספר חלק
IRLB8314PBF-DG
מחיר ליחידה
0.36
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDMS86550
MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56
FDMC008N08C
MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
HUF76407P3
MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3
