מספר מוצר של יצרן:
IRLS510A
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
IRLS510A-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220F
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 4.5A (Tc) 23W (Tc) Through Hole TO-220F-3
מלאי:
12839339
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRLS510A מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
440mOhm @ 2.25A, 5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
8 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
235 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
23W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220F-3
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
IRLS51
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFI510GPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
963
DiGi מספר חלק
IRFI510GPBF-DG
מחיר ליחידה
0.81
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SSN1N45BTA
MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3
FQD3P50TM
MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
MTD6N20ET5G
MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
