מספר מוצר של יצרן:
IRLR210ATM
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
IRLR210ATM-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 2.7A (Tc) 2.5W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
12839592
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRLR210ATM מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.5Ohm @ 1.35A, 5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
240 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 21W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IRLR21
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDD3672-F085
MOSFET N-CH 100V 44A TO252AA
FDT86246
MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
FDP55N06
MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3
