מספר מוצר של יצרן:
IRFU220BTU_F080
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFU220BTU_F080-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 4.6A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Through Hole I-PAK
מלאי:
12851447
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFU220BTU_F080 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
800mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
390 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 40W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
I-PAK
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
IRFU2
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
70
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFU220PBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
2912
DiGi מספר חלק
IRFU220PBF-DG
מחיר ליחידה
0.52
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
R6507ENJTL
MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
HUF76629D3
MOSFET N-CH 100V 20A IPAK
FDS6689S
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
