מספר מוצר של יצרן:
IRFNL210BTA-FP001
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFNL210BTA-FP001-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 1A TO92L
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 1A (Tc) 3.1W (Ta) Through Hole TO-92L
מלאי:
12847558
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFNL210BTA-FP001 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9.3 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
225 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.1W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-92L
חבילה / מארז
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
מספר מוצר בסיסי
IRFNL
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IRFNL210BTA_FP001-DG
IRFNL210BTA_FP001
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDS8813NZ
MOSFET N-CH 30V 18.5A 8SOIC
NTD5C688NLT4G
MOSFET N-CH 60V 7.5A/17A DPAK
CPH3348-TL-W
MOSFET P-CH 12V 3A 3CPH
