מספר מוצר של יצרן:
HUF76609D3ST
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
HUF76609D3ST-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 49W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
12838211
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
HUF76609D3ST מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
UltraFET™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
160mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
425 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
49W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
HUF76609
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
HUF76609D3STFSCT
2156-HUF76609D3ST-OS
HUF76609D3STFSTR
ONSONSHUF76609D3ST
HUF76609D3ST-DG
HUF76609D3STFSDKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRLR120NTRLPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
2710
DiGi מספר חלק
IRLR120NTRLPBF-DG
מחיר ליחידה
0.39
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FDD1600N10ALZ
יצרן
onsemi
כמות זמינה
6334
DiGi מספר חלק
FDD1600N10ALZ-DG
מחיר ליחידה
0.33
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
BUK7275-100A,118
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
68370
DiGi מספר חלק
BUK7275-100A,118-DG
מחיר ליחידה
0.40
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRLR120NTRPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
8535
DiGi מספר חלק
IRLR120NTRPBF-DG
מחיר ליחידה
0.36
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
HUFA76439P3
MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
BTS247Z E3062A
MOSFET N-CH 55V 33A TO263-5
FDS8884
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
