מספר מוצר של יצרן:
HUF75329D3ST
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
HUF75329D3ST-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
תיאור מפורט:
N-Channel 55 V 20A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
2500 יחידות חדשות מק originales במלאי
12835756
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
HUF75329D3ST מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
UltraFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
26mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
65 nC @ 20 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1060 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
128W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
HUF75329
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
HUF75329D3STFSDKR
HUF75329D3STFSTR
HUF75329D3STFSCT
HUF75329D3ST-DG
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDWS86380-F085
MOSFET N-CH 80V 50A POWER56
FQA35N40
MOSFET N-CH 400V 35A TO3P
FCI25N60N
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
