מספר מוצר של יצרן:
FQU4N50TU-WS
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQU4N50TU-WS-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 2.6A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Through Hole I-PAK
מלאי:
12850328
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQU4N50TU-WS מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.7Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
460 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
I-PAK
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
FQU4N50
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FQU4N50TU-WS-DG
FQU4N50TU_WS-DG
FQU4N50TU_WS
FQU4N50TU-WSOS
2156-FQU4N50TU-WS-OS
ONSONSFQU4N50TU-WS
חבילה סטנדרטית
70
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STD3NK50Z-1
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
4279
DiGi מספר חלק
STD3NK50Z-1-DG
מחיר ליחידה
0.26
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STD4N52K3
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STD4N52K3-DG
מחיר ליחידה
0.50
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQP3N80C
MOSFET N-CH 800V 3A TO220-3
FDB44N25TM
MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
FDS8449
MOSFET N-CH 40V 7.6A 8SOIC
