מספר מוצר של יצרן:
FQU1N60CTU
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQU1N60CTU-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole IPAK
מלאי:
12850201
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQU1N60CTU מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6.2 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
170 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
IPAK
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
FQU1N60
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FQU1N60CTU-OS
FAIFSCFQU1N60CTU
FQU1N60CTU-DG
FQU1N60CTUFS
חבילה סטנדרטית
70
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STD1NK60-1
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
5751
DiGi מספר חלק
STD1NK60-1-DG
מחיר ליחידה
0.38
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STU2N62K3
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
3000
DiGi מספר חלק
STU2N62K3-DG
מחיר ליחידה
0.52
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDD26AN06A0
MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA
FQPF9N50CYDTU
MOSFET N-CH 500V 9A TO220F-3
AO3406
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3L
