מספר מוצר של יצרן:
FQPF9P25YDTU
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQPF9P25YDTU-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
תיאור מפורט:
P-Channel 250 V 6A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
מלאי:
12840701
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQPF9P25YDTU מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
250 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
620mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
38 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1180 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
50W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220F-3 (Y-Forming)
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
מספר מוצר בסיסי
FQPF9
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
2832-FQPF9P25YDTU-488
2832-FQPF9P25YDTU
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NDT02N60ZT1G
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
NTNS3A91PZT5G
MOSFET P-CH 20V 223MA 3XLLGA
NTD4960N-35G
MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK
