מספר מוצר של יצרן:
FQPF7N65C_F105
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQPF7N65C_F105-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220F-3
מלאי:
12839854
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQPF7N65C_F105 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
36 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1245 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
52W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220F-3
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
FQPF7
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
AOT8N80L
יצרן
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
כמות זמינה
988
DiGi מספר חלק
AOT8N80L-DG
מחיר ליחידה
0.64
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFP7N80PM
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFP7N80PM-DG
מחיר ליחידה
4.60
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFP7N80P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
299
DiGi מספר חלק
IXFP7N80P-DG
מחיר ליחידה
2.31
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STF6N65M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
300
DiGi מספר חלק
STF6N65M2-DG
מחיר ליחידה
0.54
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STF5N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1963
DiGi מספר חלק
STF5N60M2-DG
מחיר ליחידה
0.52
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDI150N10
MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
NDB4050
MOSFET N-CH 50V 15A D2PAK
FDD4243
MOSFET P-CH 40V 6.7A/14A DPAK