מספר מוצר של יצרן:
FQPF4N25
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQPF4N25-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 250V 2.8A TO220F
תיאור מפורט:
N-Channel 250 V 2.8A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220F-3
מלאי:
12836115
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQPF4N25 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
250 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.75Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
5.6 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
200 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
32W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220F-3
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
FQPF4
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
RCX051N25
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
RCX051N25-DG
מחיר ליחידה
0.44
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
2N7000BU_T
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
BFL4001-1EX
MOSFET N-CH 900V 6.5A TO220-3 FP
5LN01C-TB-EX
MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
