מספר מוצר של יצרן:
FQPF33N10
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQPF33N10-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 18A TO220F
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 18A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220F-3
מלאי:
202 יחידות חדשות מק originales במלאי
12839473
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQPF33N10 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tube
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
52mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
51 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1500 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
41W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220F-3
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
FQPF3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
ONSONSFQPF33N10
2156-FQPF33N10-OS
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQPF5P10
MOSFET P-CH 100V 2.9A TO220F
FDC637BNZ
MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
FQB34P10TM-F085P
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
