FQP9N25C

מספר מוצר של יצרן:

FQP9N25C

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FQP9N25C-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220-3

תיאור מפורט:

N-Channel 250 V 8.8A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220-3

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12850693

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FQP9N25C מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

-

סדרה

QFET®

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

250 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

8.8A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

430mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

35 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±30V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

710 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

74W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-220-3

חבילה / מארז

TO-220-3

מספר מוצר בסיסי

FQP9

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

1,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק

RCX100N25

יצרן

Rohm Semiconductor

כמות זמינה

429

DiGi מספר חלק

RCX100N25-DG

מחיר ליחידה

0.86

סוג משאב

Direct

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

FDB8874

MOSFET N-CH 30V 21A/121A TO263AB

alpha-and-omega-semiconductor

AOT284L

MOSFET N-CH 80V 16A/105A TO220

onsemi

FQP17N08

MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3

onsemi

HUFA75332S3S

MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK