מספר מוצר של יצרן:
FQP7N20
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQP7N20-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 6.6A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 6.6A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12837135
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQP7N20 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
690mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
10 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
400 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
63W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
FQP7
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDD9410L-F085
MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO252
IRFW540ATM
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
FDS4675
MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
