מספר מוצר של יצרן:
FQP6N60
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQP6N60-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12849544
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQP6N60 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
25 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1000 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
130W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
FQP6
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STP5NK60Z
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1103
DiGi מספר חלק
STP5NK60Z-DG
מחיר ליחידה
0.80
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STP7NK80Z
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
995
DiGi מספר חלק
STP7NK80Z-DG
מחיר ליחידה
1.21
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFBC40LCPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
1068
DiGi מספר חלק
IRFBC40LCPBF-DG
מחיר ליחידה
1.84
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFBC40APBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
482
DiGi מספר חלק
IRFBC40APBF-DG
מחיר ליחידה
0.98
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STP8NK80Z
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1024
DiGi מספר חלק
STP8NK80Z-DG
מחיר ליחידה
1.42
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDMS86540
MOSFET N-CH 60V 20A/50A 8PQFN
AON6506
MOSFET N-CH 30V 33A/36A 8DFN
FDMT800100DC
MOSFET N-CH 100V 24A/162A 8DUAL
