מספר מוצר של יצרן:
FQP1N60
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQP1N60-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 1.2A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 1.2A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12838898
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQP1N60 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11.5Ohm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
150 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
40W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
FQP1
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
AOT1N60
יצרן
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
כמות זמינה
1232
DiGi מספר חלק
AOT1N60-DG
מחיר ליחידה
0.21
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDD86369
MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
FQPF16N15
MOSFET N-CH 150V 11.6A TO220F
FQD7N20LTF
MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
