מספר מוצר של יצרן:
FQP19N10L
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQP19N10L-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 19A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12838940
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQP19N10L מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
19A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
100mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
18 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
870 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
75W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
FQP1
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQB7N65CTM
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
FDME910PZT
MOSFET P-CH 20V 8A MICROFET
FDMC86102LZ
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
