מספר מוצר של יצרן:
FQI8N60CTU
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQI8N60CTU-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
מלאי:
12851231
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQI8N60CTU מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
36 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1255 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.13W (Ta), 147W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262 (I2PAK)
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
FQI8N60
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FQI8N60CTU-OS
FAIFSCFQI8N60CTU
2832-FQI8N60CTU
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STI4N62K3
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STI4N62K3-DG
מחיר ליחידה
0.46
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDB8896-F085
MOSFET N-CH 30V 19A/93A TO263AB
FCP220N80
MOSFET N-CH 800V 23A TO220-3
HUF75343P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
