מספר מוצר של יצרן:
FQI47P06TU
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQI47P06TU-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK
תיאור מפורט:
P-Channel 60 V 47A (Tc) 3.75W (Ta), 160W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
מלאי:
12848516
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQI47P06TU מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
47A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
26mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
110 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3600 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.75W (Ta), 160W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262 (I2PAK)
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
FQI4
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTHS4501NT1
MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
FDB8132_F085
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
FDP39N20
MOSFET N-CH 200V 39A TO220-3
