מספר מוצר של יצרן:
FQI13N50CTU
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQI13N50CTU-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 13A (Tc) 195W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
מלאי:
12849505
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQI13N50CTU מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
480mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
56 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2055 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
195W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262 (I2PAK)
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
FQI13N50
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFSL11N50APBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IRFSL11N50APBF-DG
מחיר ליחידה
1.49
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AOB2606L
MOSFET N-CH 60V 13A/72A TO263
AOT2618L
MOSFET N-CH 60V 7A/23A TO220
FQP47P06_NW82049
MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
