מספר מוצר של יצרן:
FQD4N25TM-WS
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQD4N25TM-WS-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 250 V 3A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
12837044
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQD4N25TM-WS מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
250 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.75Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
5.6 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
200 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 37W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
FQD4N25
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FQD4N25TM_WSTR
2832-FQD4N25TM-WSTR
FQD4N25TM-WSCT
2832-FQD4N25TM-WS-488
FQD4N25TM_WS-DG
2156-FQD4N25TM-WS-OS
FQD4N25TM_WS
FQD4N25TM_WSDKR-DG
FQD4N25TM-WSDKR
FQD4N25TM_WSDKR
ONSONSFQD4N25TM-WS
FQD4N25TMWS
FQD4N25TM_WSTR-DG
FQD4N25TM_WSCT
FQD4N25TM-WSTR
FQD4N25TM_WSCT-DG
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFR214TRPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
1947
DiGi מספר חלק
IRFR214TRPBF-DG
מחיר ליחידה
0.48
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFR214TRLPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IRFR214TRLPBF-DG
מחיר ליחידה
0.48
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFR214PBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IRFR214PBF-DG
מחיר ליחידה
0.55
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQD9N25TM
MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
FDP075N15A
MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
FDS5672_F095
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
