מספר מוצר של יצרן:
FQD4N20TM
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQD4N20TM-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 3A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
12840229
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQD4N20TM מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.4Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
220 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
FQD4N20
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FQD4N20TMFSCT
2832-FQD4N20TM-488
2832-FQD4N20TMTR
FQD4N20TMFSDKR
FQD4N20TMFSTR
FQD4N20TM-DG
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFR210TRLPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
4873
DiGi מספר חלק
IRFR210TRLPBF-DG
מחיר ליחידה
0.39
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFR210PBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
13911
DiGi מספר חלק
IRFR210PBF-DG
מחיר ליחידה
0.40
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFR210TRPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
8539
DiGi מספר חלק
IRFR210TRPBF-DG
מחיר ליחידה
0.39
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFR210TRRPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IRFR210TRRPBF-DG
מחיר ליחידה
0.46
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NVMFS4C03NT3G
MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
NVTFS5824NLWFTAG
MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
NTB125N02R
MOSFET N-CH 24V 95A/120.5A D2PAK
