מספר מוצר של יצרן:
FQD4N20LTM
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQD4N20LTM-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 3.2A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
12836574
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQD4N20LTM מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.35Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
5.2 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
310 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
FQD4
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFR224PBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
2372
DiGi מספר חלק
IRFR224PBF-DG
מחיר ליחידה
0.55
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDG312P
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
2SK4116LS
MOSFET N-CH 400V 8.9A TO220FI
FDS8882
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
