מספר מוצר של יצרן:
FQD12N20LTM-F085
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQD12N20LTM-F085-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
10000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12846752
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQD12N20LTM-F085 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
280mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
21 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1080 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
FQD12N20
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FQD12N20LTM_F085P
FQD12N20LTM-F085-DG
488-FQD12N20LTM-F085CT
488-FQD12N20LTM-F085TR
FQD12N20LTM_F085
FQD12N20LTM_F085-DG
488-FQD12N20LTM-F085DKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FQD12N20LTM
יצרן
onsemi
כמות זמינה
4955
DiGi מספר חלק
FQD12N20LTM-DG
מחיר ליחידה
0.27
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
FQD12N20LTM-F085P
יצרן
onsemi
כמות זמינה
1135
DiGi מספר חלק
FQD12N20LTM-F085P-DG
מחיר ליחידה
0.70
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQP3N90
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220-3
FDMC7692
MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP
BSD314SPEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6
