FQB6N50TM
מספר מוצר של יצרן:

FQB6N50TM

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FQB6N50TM-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 500V 5.5A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 5.5A (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

מלאי:

12848026
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

FQB6N50TM מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.3Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
22 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
790 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
FQB6

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
800

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
IXTA3N50D2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
95
DiGi מספר חלק
IXTA3N50D2-DG
מחיר ליחידה
2.25
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
onsemi

FDH055N15A

MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3

onsemi

FDPF12N50UT

MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

onsemi

FQA160N08

MOSFET N-CH 80V 160A TO3PN

alpha-and-omega-semiconductor

AO4447AL

MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC