מספר מוצר של יצרן:
FQB5N60CTM-WS
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQB5N60CTM-WS-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
763 יחידות חדשות מק originales במלאי
12847384
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
tncR
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQB5N60CTM-WS מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Cut Tape (CT)
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
19 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
670 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
100W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
FQB5N60
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2832-FQB5N60CTM-WS-488
FQB5N60CTM-WSDKR
FQB5N60CTM_WSDKR-DG
FQB5N60CTM_WSCT
FQB5N60CTM-WSCT
FQB5N60CTM_WSCT-DG
FQB5N60CTM_WS
FQB5N60CTM_WSTR
FQB5N60CTM-WSTR
FQB5N60CTM_WSDKR
FQB5N60CTM_WSTR-DG
2832-FQB5N60CTM-WSTR
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NVMFS5C410NLT1G
MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN
NTD4810NHT4G
MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
AUIRFS8407
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
