מספר מוצר של יצרן:
FQB4N90TM
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQB4N90TM-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 900 V 4.2A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
12837868
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQB4N90TM מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
900 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.3Ohm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
30 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1100 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.13W (Ta), 140W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
FQB4
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STB6NK90ZT4
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STB6NK90ZT4-DG
מחיר ליחידה
1.32
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
HUF75309T3ST
MOSFET N-CH 55V 3A SOT223-4
FDB86363-F085
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
FDB150N10
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
