מספר מוצר של יצרן:
FQB2N80TM
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQB2N80TM-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 2.4A (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
12846217
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQB2N80TM מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6.3Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
15 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
550 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.13W (Ta), 85W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
FQB2
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRF540NSTRLPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
7309
DiGi מספר חלק
IRF540NSTRLPBF-DG
מחיר ליחידה
0.52
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQP630
MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
CPH6341-M-TL-W
MOSFET P-CH 30V 5A CPH6
FDC658AP
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
