מספר מוצר של יצרן:
FQB12N60CTM
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQB12N60CTM-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 3.13W (Ta), 225W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
12837791
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQB12N60CTM מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
650mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
63 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2290 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.13W (Ta), 225W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
FQB1
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STB10N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STB10N60M2-DG
מחיר ליחידה
0.75
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FCD7N60TM
יצרן
onsemi
כמות זמינה
5978
DiGi מספר חלק
FCD7N60TM-DG
מחיר ליחידה
0.91
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFA10N60P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
324
DiGi מספר חלק
IXFA10N60P-DG
מחיר ליחידה
1.78
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STD7ANM60N
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
3584
DiGi מספר חלק
STD7ANM60N-DG
מחיר ליחידה
0.58
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STB13NK60ZT4
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
757
DiGi מספר חלק
STB13NK60ZT4-DG
מחיר ליחידה
1.79
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDPF7N50F
MOSFET N-CH 500V 6A TO220F
FQA27N25
MOSFET N-CH 250V 27A TO3PN
FDB2552
MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB