מספר מוצר של יצרן:
FQA8N90C
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQA8N90C-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 900V 8A TO3P
תיאור מפורט:
N-Channel 900 V 8A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P
מלאי:
12837096
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQA8N90C מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
900 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.9Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
45 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2080 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
240W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3P
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
FQA8
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STW7NK90Z
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
86
DiGi מספר חלק
STW7NK90Z-DG
מחיר ליחידה
1.75
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FQA8N90C-F109
יצרן
onsemi
כמות זמינה
179
DiGi מספר חלק
FQA8N90C-F109-DG
מחיר ליחידה
2.17
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
HUFA76429P3
MOSFET N-CH 60V 47A TO220-3
2N7002L6327HTSA1
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
FDB0170N607L
MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7
