FQA8N80C
מספר מוצר של יצרן:

FQA8N80C

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FQA8N80C-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 800V 8.4A TO3P
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 8.4A (Tc) 220W (Tc) Through Hole TO-3P

מלאי:

12849937
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

FQA8N80C מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8.4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.55Ohm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
45 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2050 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
220W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3P
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
FQA8

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
30

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
onsemi

FDD9509L-F085

MOSFET P-CH 40V 90A DPAK

onsemi

FDC5614P_D87Z

MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6

onsemi

FDA16N50LDTU

MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN

onsemi

FDPF5N50NZ

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F