מספר מוצר של יצרן:
FQA13N80-F109
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQA13N80-F109-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 12.6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3PN
מלאי:
76 יחידות חדשות מק originales במלאי
12837028
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQA13N80-F109 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tube
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
750mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
88 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3500 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
300W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3PN
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
FQA13
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FQA13N80_F109
FQA13N80_F109-DG
FQA13N80_F109FS-DG
ONSONSFQA13N80-F109
FQA13N80F109
2156-FQA13N80-F109-OS
FQA13N80_F109FS
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDMS86380-F085
MOSFET N-CH 80V 50A POWER56
FDMC3020DC
MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
FQA44N30
MOSFET N-CH 300V 43.5A TO3PN
