מספר מוצר של יצרן:
FQA12P20
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQA12P20-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 200V 12.6A TO3P
תיאור מפורט:
P-Channel 200 V 12.6A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3P
מלאי:
12846767
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQA12P20 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
470mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
40 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1200 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3P
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
FQA1
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTR0202PLT3G
MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3
AOD409_002
MOSFET P-CH 60V 26A TO252
FCH099N65S3_F155
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
