מספר מוצר של יצרן:
FQA11N90C
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQA11N90C-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 900V 11A TO3P
תיאור מפורט:
N-Channel 900 V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
מלאי:
12848305
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQA11N90C מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
900 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.1Ohm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
80 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3290 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
300W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3P
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
FQA1
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
FQA11N90CFSINACTIVE
FQA11N90CFS
FQA11N90CFS-DG
Q2658628A
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STW7NK90Z
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
86
DiGi מספר חלק
STW7NK90Z-DG
מחיר ליחידה
1.75
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFPF50PBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
466
DiGi מספר חלק
IRFPF50PBF-DG
מחיר ליחידה
3.01
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RFP4N100
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO220-3
AOI1N60L
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
FDMS86163P
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
