מספר מוצר של יצרן:
FDZ293P
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDZ293P-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 4.6A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 9-BGA (1.5x1.6)
מלאי:
12850549
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDZ293P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.6A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
46mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
11 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
754 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.7W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
9-BGA (1.5x1.6)
חבילה / מארז
9-VFBGA
מספר מוצר בסיסי
FDZ29
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQB9N50CFTM_WS
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
AOB298L
MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO263
FDS9435A
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
