FDZ291P

מספר מוצר של יצרן:

FDZ291P

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDZ291P-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA

תיאור מפורט:

P-Channel 20 V 4.6A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 9-BGA (1.5x1.6)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12849464

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDZ291P מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

-

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

P-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

20 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

4.6A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

40mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

1V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

13 nC @ 4.5 V

VGS (מקס')

±8V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1010 pF @ 10 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

1.7W (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

9-BGA (1.5x1.6)

חבילה / מארז

9-VFBGA

מספר מוצר בסיסי

FDZ29

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

FDZ291PTR

FDZ291PDKR

FDZ291PCT

חבילה סטנדרטית

10,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

FDFMA2P029Z

MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET

alpha-and-omega-semiconductor

AON6284A

MOSFET N-CHANNEL 80V 48A 8DFN

onsemi

FCP380N60E

MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3

alpha-and-omega-semiconductor

AON2705

MOSFET P-CH 30V 3A 6DFN