מספר מוצר של יצרן:
FDY100PZ-G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDY100PZ-G-DG
תיאור:
MOSFET P-CH SC89
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 350mA (Ta) 446mW (Ta) Surface Mount SOT-523F
מלאי:
12976025
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDY100PZ-G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
350mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
1.4 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
100 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
446mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-523F
חבילה / מארז
SC-89, SOT-490
מידע נוסף
שמות אחרים
488-FDY100PZ-GTR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FCB099N65S3
MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
NTBS9D0N10MC
MOSFET N-CH 100V 14A/60A TO263
TK090Z65Z,S1F
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L
