מספר מוצר של יצרן:
FDW2520C
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDW2520C-DG
תיאור:
MOSFET N/P-CH 20V 6A/4.4A 8TSSOP
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 6A, 4.4A 600mW Surface Mount 8-TSSOP
מלאי:
12921099
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDW2520C מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A, 4.4A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
18mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1325pF @ 10V
הספק - מקס'
600mW
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-TSSOP
מספר מוצר בסיסי
FDW25
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
FDW2520CCT
FDW2520CDKR
FDW2520CTR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
ZXMN3AM832TA
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
SQ4937EY-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
SI8902AEDB-T2-E1
MOSFET 2N-CH 24V 11A 6MICRO FOOT
