מספר מוצר של יצרן:
FDW2508PB
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDW2508PB-DG
תיאור:
MOSFET 2P-CH 12V 6A 8TSSOP
תיאור מפורט:
Mosfet Array 12V 6A 1W Surface Mount 8-TSSOP
מלאי:
12847215
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDW2508PB מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 P-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
12V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
18mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
45nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3775pF @ 6V
הספק - מקס'
1W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-TSSOP
מספר מוצר בסיסי
FDW25
מידע נוסף
שמות אחרים
FDW2508PBTR
FDW2508PBDKR
FDW2508PBCT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
MMDF3N04HDR2G
MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8SOIC
FDS6898AZ
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
ECH8659-M-TL-H
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8ECH
