מספר מוצר של יצרן:
FDV302P
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDV302P-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
תיאור מפורט:
P-Channel 25 V 120mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
מלאי:
12850587
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDV302P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
10Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
0.31 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
-8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
11 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
350mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23-3
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מספר מוצר בסיסי
FDV30
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
FDV302PTR
FDV302PCT
2156-FDV302P-OS
FDV302PCT-NDR
2832-FDV302P-488
FDV302PTR-NDR
FDV302PDKR
2832-FDV302PTR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
DMG302PU-7
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
19409
DiGi מספר חלק
DMG302PU-7-DG
מחיר ליחידה
0.09
סוג משאב
Similar
מספר חלק
DMG302PU-13
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
DMG302PU-13-DG
מחיר ליחידה
0.09
סוג משאב
Similar
מספר חלק
TSM680P06CP ROG
יצרן
Taiwan Semiconductor Corporation
כמות זמינה
24347
DiGi מספר חלק
TSM680P06CP ROG-DG
מחיר ליחידה
0.23
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FCPF36N60NT
MOSFET N-CH 600V 36A TO220F
AON1610
MOSFET N-CH 20V 4A 6DFN
FCP110N65F
MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3
